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我国成功研发充电桩核心芯片 不再依赖进口

导读: 4月12日,记者从苏州东微半导体公司了解到,新能源汽车直流大功率充电桩用核心芯片已成功量产,打破国外厂商垄断。

  一块手机SIM卡大小的芯片,却能承载超过700伏的电压,导通电阻仅有30毫欧,实现高效低耗的电能转换。这就是新能源汽车充电桩的“心脏”MOSFET(金属氧化物半导体型场效应管)。4月12日,记者从苏州东微半导体公司了解到,新能源汽车直流大功率充电桩用核心芯片已成功量产,打破国外厂商垄断。

  近年来,国内新能源汽车发展迅猛,俗称“快充”的直流充电桩已经遍布高速公路、停车场。直流充电桩一般由通信模块、开关电源模块及控制模块等构成。其中,MOSFET是开关电源模块中最核心的部分,是实现电能高效率转换,确保充电桩稳定不过热的关键器件。

  “交流电进入电桩后,MOSFET通过控制芯片来控制电流通断,形成脉冲电流,再通过电感耦合转换为新能源汽车需要的直流电源。”东微半导体的总经理龚轶介绍。

  MOSFET的成本占整个开关电源模块成本的20%左右。在一个开关电源模块中,需要用到几个甚至近百个MOSFET。过去,这一领域被国外厂商垄断,国内厂家大量采购进口品牌的MOSFET,不仅价格高昂,还经常缺货。

  东微半导体经过两年的研发,原创了全套专利技术,目前已实现充电桩用高压高速MOSFET系列产品量产,在国内充电桩企业批量应用。同时,该产品还出口到韩国、日本和德国市场。同时,还广泛应用在手机充电器、LED照明,显示器、工业照明等电源转换领域。

  “相较于国际品牌,我们研发的MOSFET,电源开关时的电损耗更低,电流转换效率更高,长期在户外使用更加可靠,价格也低了10%—20%。”龚轶说。

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