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图谋：SiC的弯道超车

车规芯片不需要追赶摩尔定律，因此这个行业并不容易产生大的格局变化。

由于对先进设备依赖度不高，企业的整体支出比较小，但这并不意味着车规芯片就没有技术门槛，各企业比拼更多的是制程工艺、封装设计和新材料迭代。

在英飞凌等欧美日龙头且已经迭代数十年的情况下，中国企业想单纯的凭借工艺获胜，这无异于痴人说梦。虽然“芯片荒”给中国IGBT企业带来扩大市场占有率的机会，但依然不足以向世界龙头企业发起挑战。

那么中国IGBT企业的机会在哪里呢？正是即将爆发的第三代半导体SiC。

SiC具有耐高压、耐高频的特性，仅用传统MOSFET结构，就能实现比硅基IGBT更佳的理化性能。在某些场景中，SiC已经具备完美取代IGBT的能力。

最早的商用SiC器件出现在2001年，直到2010年人类才实现SiC的 MOSFET结构。也就是说，全球SiC 器件均处于刚刚起步阶段，即使海外龙头企业具有技术上的领先优势，但这个技术差距也远小于IGBT数十年积累的“迭代鸿沟”。

既然硅基IGBT极有可能在未来被SiC器件取代，那么是否意味着如今国产企业争夺的IGBT市场份额毫无意义呢？结果当然是否定的。

正如我们前文所述，整车厂商对于供应商有着严格的资质要求，在传统能源车时代，能够切入整车大厂的供应链体系，这已经就是一种潜在的公司护城河，如今也是同样的道理。

如今国产厂商拿到的IGBT份额，其意义不仅停留在财务层面，实则更是一次对于整车厂商SiC器件的提前卡位。对于新能源汽车整车厂来说，即使要用SiC来取代IGBT，它们往往也更愿意选择合作过的成熟供应商。

这就意味着，如果能够提前切入整车厂，并与之保持良好的供应关系，不仅会受益于新能源汽车的放量，而且也是给未来自身SiC的替换留下空间。

在SiC布局上，中国企业起步并没有晚太多，因此极有可能出现挑战世界龙头，甚至弯道超车的可能。

基于此，中国车规IGBT厂商在积极扩产之外，做的最多的事情就是积极投建SiC的产能。

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布局：谁将成为SiC第一股？

扩张成为2021年中国IGBT企业的核心关键词。

历数中国主要的IGBT企业，他们无一不在2021年进行了产能扩张，除了产能扩增外，这些企业全部选择聚焦在SiC的相关布局，俨然SiC成为了必争之地。

比亚迪是目前中国市场IGBT份额占比最高的国内公司，因此在SiC对于IGBT的取代上，比亚迪无疑有先天优势，可以无缝切入自家整车厂。2020年底，比亚迪半导体宣布将会自建一条SiC产线，成为国内首家拥有SiC自有产线的整车厂。

斯达半导是国内最大的第三方IGBT厂，也是切入主流整车厂最多的公司。9月24日，斯达半导宣布定增获得发审委通过，将募资35亿元用于IGBT芯片、SiC芯片的研发及生产。预计将会达成6英寸IGBT产能30万片／年， 6英寸SiC芯片产能6万片／年。

同样以定增方式扩产的还有新洁能。11月11日，新洁能拟定增募资不超过14．5亿元，用于第三代半导体SiC／GaN功率器件及封测的研发及产业化。新洁能深耕 MOSFET多年，是国内颇具竞争力公司之一，SiC的到来有望让新洁能竞争力激增。

时代电气今年9月刚刚登陆科创板，其正在经历从轨道交通设备龙头向车规芯片厂转变的过程。招股书显示，除轨道交通外，新能源汽车正是公司的布局方向。目前公司已经建成两条 8 英寸 IGBT 产线，并在2018年建成国内首条6 英寸碳化硅生产线。随着公司登陆资本市场，有望获得更多的发展契机。

与时代电气类似，宏微科技也是9月登陆科创板的一家新兴公司。目前，公司已成功研发 650V M5i IGBT 芯片，可与英飞凌第五代 IGBT 5 系列产品对标。招股书显示，宏微科技将募集5．58亿元，用于包含SIC在内的新型电力半导体器件产业基地项目、研发中心建设。

老牌公司士兰微已经完成SiC中试线的通线；华润微已经具备6英寸SiC晶圆的生产能力；华微电子也在积极布局第三代半导体。

纵观所有中国车规芯片竞争者，他们无不在争夺IGBT市场份额的基础上，聚焦SiC的研发。英飞凌和罗姆已经实现SiC的商业化交付，中国企业要做的就是在他们抢占中国市场前，成功杀入整车供应链体系。

从目前的市场趋势分析，已经在IGBT具有明显份额优势的芯片企业明显更容易被整车厂商信任，在SiC替换IGBT时明显更具有竞争优势。由此来看，我们认为斯达半导、比亚迪、时代电气与其他竞争对手相比，更具有竞争优势。

但这个优势能否转化为最终的胜势也是一个问号，毕竟目前无论是IGBT还是SiC中国芯片企业起步的时间都并不长。在资本助推下，依然存在更多变化的可能。